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中文参数如下:
最小工作温度:- 55 C
增益带宽产品fT:1 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:750
集电极连续电流:4 A
封装形式:TO-126
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:40 W
最大集电极截止电流:100 uA
集电极—基极电压 VCBO:60 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
制造商:Central Semiconductor
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