MJE801STU

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-126-3
数量:
 7119  
说明:
 达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington
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MJE801STU PDF参数资料

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中文参数如下:
供应商器件:
封装封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
频率 - 跃迁:-
功率 - 最大值:40 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):750 @ 2A,3V
电流 - 集电极截止(最大值):100μA
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):2.8V @ 40mA,2A
电压 - 集射极击穿(最大值):60 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4 A
晶体管类型:NPN - 达林顿
产品状态:停产
包装:-
系列:管件
品牌:onsemi

以上是MJE801STU的详细信息,包括MJE801STU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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