MJD32BT4

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-252
数量：: 4554
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Switch

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MJD32BT4 PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：2500
包装形式：Reel
最大功率耗散：15000 mW
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：25
最大直流电集电极电流：3 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
集电极—基极电压 VCBO：80 V
晶体管极性：NPN/PNP
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics

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