MJD32C1G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 TO-252-3 (DPAK)
数量:
 5994  
说明:
 两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP
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MJD32C1G PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:75
包装形式:Tube
最小工作温度:- 65 C
最大功率耗散:1.56 W
集电极连续电流:3 A
封装形式:TO-252-3 (DPAK)
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:25 at 1 A at 4 V
增益带宽产品fT:3 MHz
最大直流电集电极电流:3 A
集电极—射极饱和电压:100 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V
集电极—基极电压 VCBO:100 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:ON Semiconductor

以上是MJD32C1G的详细信息,包括MJD32C1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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