MGSF1P02LT1

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C350 毫欧 @ 1.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)20V
Id 时的 Vgs(th)（最大）2.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs-
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C750mA
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 130pF @ 5V
功率 - 最大400mW
安装类型表面贴装

以上是MGSF1P02LT1的详细信息，包括MGSF1P02LT1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

PSMN1R4-30YLDX

IXTY90N055T2-TRL

IPB100N06S2L05ATMA2

AOTF292L

AOWF20S60

AOW20S60

GT100N12D5

SQJ886EP-T1_BE3

DMT15H017LPS-13

BUK7M4R3-40HX