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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:69 ns
上升时间:45 ns
功率耗散:1.5 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:7.3 nC
下降时间:63 ns
封装形式:MCPH-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):85 mOhms at - 0.5 A, - 1.8 V
漏极连续电流:- 4.5 A
汲极/源极击穿电压:- 20 V
晶体管极性:P-Channel
制造商:ON Semiconductor
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