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中文参数如下:
电压增益 dB:106.02 dB
技术:BiFET
电源电流:5 mA
工厂包装数量:95
最小工作温度:0 C
最小双重电源电压:+/- 5 V
最大双重电源电压:+/- 18 V
增益带宽生成:5 MHz
包装形式:Tube
最大工作温度:+ 70 C
关闭:No
转换速度:12 V/us
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
工作电源电压:10 V to 36 V, +/- 5 V to +/- 18 V
输入偏流(最大值):200 pA
输入补偿电压:10 mV
共模抑制比(最小值):80 dB
通道数量:1
RoHS:否
制造商:Texas Instruments
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