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中文参数如下：
电压增益 dB：106.02 dB
技术：BiFET
电源电流：5 mA
工厂包装数量：2500
最小工作温度：0 C
最小双重电源电压：+/- 5 V
最大双重电源电压：+/- 18 V
增益带宽生成：5 MHz
包装形式：Reel
最大工作温度：+ 70 C
关闭：No
转换速度：12 V/us
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
工作电源电压：10 V to 36 V, +/- 5 V to +/- 18 V
输入偏流（最大值）：200 pA
输入补偿电压：10 mV
共模抑制比（最小值）：80 dB
通道数量：1
RoHS：否
制造商：Texas Instruments
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