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KSP8099TA_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-92
数量：
 7623  
说明：
 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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KSP8099TA_Q-TO-92图片

KSP8099TA_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Ammo
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
集电极连续电流：0.5 A
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：100 at 1 mA at 5 V
增益带宽产品fT：150 MHz
最大直流电集电极电流：0.5 A
集电极—射极饱和电压：80 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
集电极—基极电压 VCBO：80 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSP8099TA_Q的详细信息，包括KSP8099TA_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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