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KSP8599CTA_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-92
数量：
 7641  
说明：
 两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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KSP8599CTA_Q-TO-92图片

KSP8599CTA_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Ammo
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
集电极连续电流：- 0.5 A
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：100 at 1 mA at 5 V
增益带宽产品fT：150 MHz
最大直流电集电极电流：0.5 A
集电极—射极饱和电压：- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 60 V
集电极—基极电压 VCBO：- 60 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSP8599CTA_Q的详细信息，包括KSP8599CTA_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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