KSP64BU_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92
数量：: 7551
说明：: 达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington

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KSP64BU_Q PDF参数资料

中文参数如下：

直流集电极/Base Gain hfe Min：10000
集电极连续电流：- 0.5 A
包装形式：Bulk
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：625 mW
最大集电极截止电流：0.1 uA
最大直流电集电极电流：0.5 A
集电极—基极电压 VCBO：30 V
发射极 - 基极电压 VEBO：10 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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