KSP6520BU_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-92
数量:
 7560  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN/25V/100mA
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
KSP6520BU_Q-TO-92图片

KSP6520BU_Q PDF参数资料

中文参数如下:

包装形式:Bulk
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:625 mW
集电极连续电流:0.1 A
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:100 at 100 uA at 10 V
最大直流电集电极电流:0.1 A
集电极—射极饱和电压:25 V
发射极 - 基极电压 VEBO:4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V
集电极—基极电压 VCBO:40 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是KSP6520BU_Q的详细信息,包括KSP6520BU_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • KSP6521NBU图片

    KSP6521NBU

    两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

  • KSP75BU图片

    KSP75BU

    达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington

  • KSP75BU_Q图片

    KSP75BU_Q

    达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington

  • KSP75TA图片

    KSP75TA

    达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington

  • KSP75TF图片

    KSP75TF

    达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington

  • KSP76BU图片

    KSP76BU

    达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington

  • KSP76BU_Q图片

    KSP76BU_Q

    达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington

  • KSP77BU图片

    KSP77BU

    达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington

  • KSP77BU_Q图片

    KSP77BU_Q

    达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington

  • KSP77TA图片

    KSP77TA

    达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC