中文参数如下:
最大功率耗散:40000 mW
封装形式:TO-220F
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:12
最大直流电集电极电流:3 A
发射极 - 基极电压 VEBO:12 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:800 V
集电极—基极电压 VCBO:1.6 kV
晶体管极性:NPN
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是KSC5367F的详细信息,包括KSC5367F厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!