KSC5402DTF

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: DPAK
数量：: 4662
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Silicon Transistor Planar Silicon Transistor

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KSC5402DTF PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：2000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：50000 mW
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：14
增益带宽产品fT：11 MHz
最大直流电集电极电流：2 A
发射极 - 基极电压 VEBO：12 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：450 V
集电极—基极电压 VCBO：1 kV
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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