KSB811GTA

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-92S
数量:
 4644  
说明:
 两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Transistor
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KSB811GTA PDF参数资料

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中文参数如下:
供应商器件:
封装封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 短体
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
频率 - 跃迁:110MHz
功率 - 最大值:350 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 100mA,1V
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 100mA,1A
电压 - 集射极击穿(最大值):25 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A
晶体管类型:PNP
产品状态:停产
包装:-
系列:带盒(TB)
品牌:onsemi

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