KSB811GTA_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92S
数量：: 3852
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Transistor

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KSB811GTA_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Ammo
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：350 mW
集电极连续电流：- 1 A
封装形式：TO-92S
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：200 at 100 mA at 1 V
增益带宽产品fT：110 MHz
最大直流电集电极电流：1 A
集电极—射极饱和电压：- 25 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 25 V
集电极—基极电压 VCBO：- 30 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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