IXTQ30N60P

厂家：: Ixys
封装：: TO-3P
数量：: 8964
说明：: MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds

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IXTQ30N60P PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：80 ns
工厂包装数量：30
上升时间：20 ns
功率耗散：540 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：25 s
下降时间：25 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.24 Ohms
漏极连续电流：30 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

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