IXTQ30N60P

厂家:
  Ixys
封装:
 TO-3P
数量:
 8964  
说明:
 MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
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IXTQ30N60P PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:80 ns
工厂包装数量:30
上升时间:20 ns
功率耗散:540 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :25 s
下降时间:25 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-3P
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.24 Ohms
漏极连续电流:30 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTQ30N60P的详细信息,包括IXTQ30N60P厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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