IXTK550N055T2

厂家：: Ixys
封装：: TO-264（IXTK）
数量：: 7362
说明：: 功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

一、本商品被浏览0次.

IXTK550N055T2 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

商标名：TrenchT2 GigaMOS
输出电压：55 V
输出电流：550 A
输出端数量：1
激励器数量：Single
最小工作温度：- 55 C
最大开启延迟时间：45 ns
最大关闭延迟时间：90 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-264
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
最大功率耗散：1250 W
电源电流：200 A
下降时间：230 ns
上升时间：40 ns
类型：TrenchT2 GigaMOS
产品：MOSFET Gate Drivers
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTK550N055T2的详细信息，包括IXTK550N055T2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：