IXTK120P20T

厂家：: IXYS
封装：: TO-264（IXTK）
数量：: 6435
说明：: MOSFET P-CH 200V 120A TO264

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IXTK120P20T PDF参数资料

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中文参数如下：
：-
功率耗散（最大值）：-
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：73000 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：-
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：740 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 60A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc）
漏源电压（Vdss）：200 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：在售
包装：TrenchP?
系列：管件
品牌：IXYS

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