IXTH50N30

厂家:
  Ixys
封装:
 TO-247(IXTH)
数量:
 6750  
说明:
 MOSFET 59 Amps 300V 0.065 Rds
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IXTH50N30 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:70 ns
工厂包装数量:30
上升时间:33 ns
功率耗散:400 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:17 ns
包装形式:Bulk
封装形式:TO-247
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.065 Ohms
漏极连续电流:50 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:300 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTH50N30的详细信息,包括IXTH50N30厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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