IXTH50N30

厂家：: Ixys
封装：: TO-247（IXTH）
数量：: 6750
说明：: MOSFET 59 Amps 300V 0.065 Rds

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IXTH50N30 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：70 ns
工厂包装数量：30
上升时间：33 ns
功率耗散：400 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：17 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-247
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.065 Ohms
漏极连续电流：50 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：300 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

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