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IXTA2N100P

厂家：: Ixys
封装：: TO-263AA
数量：: 5103
说明：: MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds

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IXTA2N100P PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：80 ns
工厂包装数量：50
上升时间：29 ns
功率耗散：86 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：27 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.5 Ohms
漏极连续电流：2 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：1000 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTA2N100P的详细信息，包括IXTA2N100P厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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