IXTA1N120P

厂家:
  Ixys
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 6750  
说明:
 MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds
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IXTA1N120P-TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB图片

IXTA1N120P PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:54 ns
工厂包装数量:50
上升时间:28 ns
功率耗散:63 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:27 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):20 Ohms
漏极连续电流:1 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:1200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTA1N120P的详细信息,包括IXTA1N120P厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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