IXTA1R4N100P

厂家：: Ixys
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 5297
说明：: MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds

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IXTA1R4N100P PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：65 ns
工厂包装数量：50
上升时间：35 ns
功率耗散：63 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：28 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：11 Ohms
漏极连续电流：1.4 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：1000 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

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