IXFX32N100Q3

厂家：: Ixys
封装：: TO-247-3 变式
数量：: 2514
说明：: MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A

一、本商品被浏览0次.

IXFX32N100Q3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

上升时间：250 ns
功率耗散：1250 W
栅极电荷 Qg：195 nC
包装形式：Tube
封装形式：PLUS 247
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：320 mOhms
漏极连续电流：32 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：1000 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFX32N100Q3的详细信息，包括IXFX32N100Q3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：