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中文参数如下:
商标名:TrenchT2 GigaMOS
输出电压:150 V
输出电流:360 A
输出端数量:1
激励器数量:Single
最小工作温度:- 55 C
最大开启延迟时间:50 ns
最大关闭延迟时间:115 ns
包装形式:Tube
封装形式:PLUS-247
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
最大功率耗散:1670 W
电源电流:100 A
下降时间:265 ns
上升时间:170 ns
类型:GigaMOS Trench T2 HiperFet
产品:MOSFET Gate Drivers
RoHS:是
制造商:IXYS
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