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中文参数如下:
上升时间:250 ns
功率耗散:830 W
栅极电荷 Qg:93 nC
包装形式:Tube
封装形式:TO-268
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):140 mOhms
漏极连续电流:44 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS
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