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IXFT18N100Q3

厂家：
  Ixys
封装：
 TO-268AA
数量：
 1053  
说明：
 MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
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IXFT18N100Q3-TO-268AA图片

IXFT18N100Q3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：40 ns
上升时间：32 ns
功率耗散：830 W
栅极电荷 Qg：90 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：16 S
下降时间：13 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-268
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：660 mOhms
漏极连续电流：18 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：1000 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFT18N100Q3的详细信息，包括IXFT18N100Q3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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