点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
典型关闭延迟时间:76 ns
工厂包装数量:10
上升时间:55 ns
功率耗散:690 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:43 ns
包装形式:Tube
封装形式:SOT-227B
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Dual Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.32 Ohms
漏极连续电流:27 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:1000 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS
以上是IXFN32N100P的详细信息,包括IXFN32N100P厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!