IXFN360N15T2

厂家：: Ixys
封装：: SOT-227-4，miniBLOC
数量：: 5567
说明：: 功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

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IXFN360N15T2 PDF参数资料

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中文参数如下：

商标名：TrenchT2 GigaMOS
输出电压：150 V
输出电流：310 A
输出端数量：1
激励器数量：Single
最小工作温度：- 55 C
最大开启延迟时间：50 ns
最大关闭延迟时间：115 ns
包装形式：Tube
封装形式：SOT-227B
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
最大功率耗散：1070 W
电源电流：100 A
下降时间：265 ns
上升时间：170 ns
类型：GigaMOS Trench T2 HiperFet
产品：MOSFET Gate Drivers
RoHS：是
制造商：IXYS

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