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IXFN240N15T2

厂家：
  Ixys
封装：
 SOT-227B
数量：
 4824  
说明：
  功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
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IXFN240N15T2-SOT-227B图片

IXFN240N15T2 PDF参数资料

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中文参数如下：

商标名：TrenchT2 GigaMOS
输出电压：150 V
输出电流：240 A
输出端数量：1
激励器数量：Single
最小工作温度：- 55 C
最大开启延迟时间：48 ns
最大关闭延迟时间：77 ns
包装形式：Tube
封装形式：SOT-227B
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
最大功率耗散：830 W
电源电流：120 A
下降时间：145 ns
上升时间：125 ns
类型：GigaMOS Trench T2 HiperFet
产品：MOSFET Gate Drivers
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFN240N15T2的详细信息，包括IXFN240N15T2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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