IXFN200N10P

厂家:
  Ixys
封装:
 SOT-227-4,miniBLOC
数量:
 4752  
说明:
 MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
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IXFN200N10P PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:150 ns
工厂包装数量:10
上升时间:35 ns
功率耗散:680 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:90 ns
包装形式:Box
封装形式:SOT-227B
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single Dual Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0075 Ohms
漏极连续电流:200 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXFN200N10P的详细信息,包括IXFN200N10P厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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