IXFN200N10P

厂家：: Ixys
封装：: SOT-227-4，miniBLOC
数量：: 4752
说明：: MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds

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IXFN200N10P PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：150 ns
工厂包装数量：10
上升时间：35 ns
功率耗散：680 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：90 ns
包装形式：Box
封装形式：SOT-227B
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0075 Ohms
漏极连续电流：200 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

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