IXDN602SI

厂家:
  Clare
封装:
 8-SOIC-EP
数量:
 8502  
说明:
 MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
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IXDN602SI PDF参数资料

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中文参数如下:

配置:低端
输入类型:非反相
延迟时间:35ns
电流 - 峰:2A
配置数:2
输出数:2
高端电压 - 最大(自引导启动):-
电源电压:4.5 V ~ 35 V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装

以上是IXDN602SI的详细信息,包括IXDN602SI厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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