IXDN602SITR

厂家:
  Clare
封装:
 8-SOIC-EP
数量:
 18216  
说明:
 2A 8SOIC EXP MTL DUAL NON INVERT
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

IXDN602SITR PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

配置:低端
输入类型:非反相
延迟时间:35ns
电流 - 峰:2A
配置数:2
输出数:2
高端电压 - 最大(自引导启动):-
电源电压:4.5 V ~ 35 V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装

以上是IXDN602SITR的详细信息,包括IXDN602SITR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • IXDN604PI图片

    IXDN604PI

    功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV

  • IXDN604SI图片

    IXDN604SI

    功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV

  • IXDN604SIA图片

    IXDN604SIA

    功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV

  • IXDN604SIATR图片

    IXDN604SIATR

    功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV

  • IXDN604SITR图片

    IXDN604SITR

    功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV

  • IXDN609SIA图片

    IXDN609SIA

    功率驱动器IC 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC