ISP25DP06LMXTSA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-SOT223-4
数量：: 1989
说明：: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：1.8W（Ta），5W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：420 pF @ 30 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13.9 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 270μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：250 毫欧 @ 1.9A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.9A（Ta）
漏源电压（Vdss）：60 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：在售
包装：OptiMOS?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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