ISP13DP06NMSATMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-SOT223
数量：: 1557
说明：: MOSFET P-CH 60V SOT223

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ISP13DP06NMSATMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-
功率耗散（最大值）：-
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
Vgs（最大值）：-
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.8A（Ta）
漏源电压（Vdss）：60 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：在售
包装：OptiMOS?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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