ISL9N322AP3

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220AB
数量：: 378
说明：: MOSFET N-Ch PWM Optimized Logic Level

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ISL9N322AP3 PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：24 ns, 45 ns
工厂包装数量：400
上升时间：47 ns, 29 ns
功率耗散：50 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：28 ns, 27 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.022 Ohms
漏极连续电流：20 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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