首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 集成电路 - IC > 内存 > 电可擦除可编程只读存储器 > IS61WV51232BLL-10BLI

IS61WV51232BLL-10BLI

厂家：
  ISSI
封装：
 90-TFBGA（8x13）
数量：
 2844  
说明：
 静态随机存取存储器 16M (512Kx32) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IS61WV51232BLL-10BLI-90-TFBGA（8x13）图片

IS61WV51232BLL-10BLI PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

类型：Asynchronous
工厂包装数量：240
包装形式：Tray
封装形式：Mini-BGA
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 40 C
最大工作温度：+ 85 C
最大工作电流：90 mA
电源电压-最小：3.135 V
电源电压-最大：3.465 V
访问时间：10 ns
存储容量：16 Mbit
RoHS：是
产品种类：静态随机存取存储器
制造商：ISSI

以上是IS61WV51232BLL-10BLI的详细信息，包括IS61WV51232BLL-10BLI厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他内存产品：

NVRAM   闪存   动态随机存取存储器   可擦除可编程ROM   F-RAM  

电可擦除可编程只读存储器最新产品：

  • W631GU6NB12J TR
  • W631GG6NB15J TR
  • W631GG8NB12J TR
  • W631GG6NB09J TR
  • W631GG8MB09I TR
  • W631GU6NB15J TR
  • W631GU6NB11J TR
  • W631GG6NB12J TR
  • W631GG6NB11J TR
  • W631GG8NB15J TR

    • 相近型号推荐

    • IS61WV5128BLL-10BI图片

      IS61WV5128BLL-10BI

      静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v

    • IS61WV5128BLL-10BLI图片

      IS61WV5128BLL-10BLI

      静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v

    • IS61WV5128BLL-10TLI图片

      IS61WV5128BLL-10TLI

      静态随机存取存储器 4Mb (512k x 8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v

    • IS61WV5128EDBLL-10BLI图片

      IS61WV5128EDBLL-10BLI

      静态随机存取存储器 4Mb, 2.4v-3.6v, 10ns 512K x 8 Async 静态随机存取存储器

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC