首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 集成电路 - IC > 内存 > 电可擦除可编程只读存储器 > IS61WV5128BLL-10TLI

IS61WV5128BLL-10TLI

厂家：
  ISSI
封装：
 44-TSOP II
数量：
 7904  
说明：
 静态随机存取存储器 4Mb (512k x 8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IS61WV5128BLL-10TLI-44-TSOP II图片

IS61WV5128BLL-10TLI PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

类型：Asynchronous
工厂包装数量：135
存储类型：Asynchronous CMOS
最大时钟频率：100 MHz
接口：Parallel
包装形式：Tube
封装形式：TSOP-44
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 40 C
最大工作温度：+ 85 C
最大工作电流：45 mA
电源电压-最小：2.4 V
电源电压-最大：3.6 V
访问时间：10 ns
组织：512 Kbit x 8
存储容量：4 Mbit
RoHS：是
制造商：ISSI

以上是IS61WV5128BLL-10TLI的详细信息，包括IS61WV5128BLL-10TLI厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他内存产品：

NVRAM   闪存   动态随机存取存储器   可擦除可编程ROM   F-RAM  

电可擦除可编程只读存储器最新产品：

  • W631GU6NB12J TR
  • W631GG6NB15J TR
  • W631GG8NB12J TR
  • W631GG6NB09J TR
  • W631GG8MB09I TR
  • W631GU6NB15J TR
  • W631GU6NB11J TR
  • W631GG6NB12J TR
  • W631GG6NB11J TR
  • W631GG8NB15J TR

    • 相近型号推荐

    • IS61WV5128EDBLL-10BLI图片

      IS61WV5128EDBLL-10BLI

      静态随机存取存储器 4Mb, 2.4v-3.6v, 10ns 512K x 8 Async 静态随机存取存储器

    • IS61WV6416BLL-12BLI图片

      IS61WV6416BLL-12BLI

      静态随机存取存储器 1Mb 64Kx16 12ns/3.3v Async 静态随机存取存储器 3.3v

    • IS61WV6416BLL-12KLI图片

      IS61WV6416BLL-12KLI

      静态随机存取存储器 1M (64Kx16) 12ns Async 静态随机存取存储器 3.3v

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC