中文参数如下:
:-
功率耗散(最大值):110W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1700 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±16V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):48 nC @ 5 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):27 毫欧 @ 25A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A(Tc)
漏源电压(Vdss):55 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:Digi-Key 停止提供
包装:HEXFET?
系列:卷带(TR)
品牌:Infineon Technologies
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