点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C600 毫欧 @ 610mA, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)20V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs3.6nC @ 4.45V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C780mA
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 97pF @ 15V
功率 - 最大540mW
安装类型表面贴装
以上是IRLML6302TR的详细信息,包括IRLML6302TR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!