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IRL640L

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-262-3
数量：
 8100  
说明：
 MOSFET N-CH 200V 17A TO-262
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IRL640L PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C180 毫欧 @ 10A, 5V
漏极至源极电压(Vdss)200V
Id 时的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs66nC @ 5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1800pF @ 25V
功率 - 最大3.1W
安装类型通孔

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