IRFSL11N50APBF

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-262-3
数量:
 7353  
说明:
 MOSFET N-Chan 500V 11 Amp
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IRFSL11N50APBF PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:32 ns
工厂包装数量:1000
上升时间:34 ns
功率耗散:190 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:27 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-262
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.55 Ohms
漏极连续电流:11 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

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