IRFR220,118

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: DPAK
数量：: 387
说明：: MOSFET N-CH 200V 4.8A SOT428

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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C800 毫欧 @ 2.9A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)200V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.8A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 280pF @ 25V
功率 - 最大42W
安装类型表面贴装

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