点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
典型关闭延迟时间:53 ns
工厂包装数量:1000
上升时间:24 ns
功率耗散:40 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:24 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220 Full-Pak
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.28 Ohms
漏极连续电流:7.9 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:250 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
以上是IRFI644G的详细信息,包括IRFI644G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!