中文参数如下:
工厂包装数量:50
功率耗散:3.13 W
包装形式:Tube
封装形式:TO-262
安装风格:Through Hole
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.1 Ohms
漏极连续电流:4.1 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:250 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
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