IRFH8307TRPBF

厂家：: Infineon Technologies
封装：: 8-PQFN（5x6）
数量：: 7542
说明：: MOSFET N-CH 30V 42A/100A 8PQFN

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），156W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7200 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：120 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 150μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.3 毫欧 @ 50A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：42A（Ta），100A（Tc）
漏源电压（Vdss）：30 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：最后售卖
包装：HEXFET?, StrongIRFET?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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