IRFB4110QPBF

厂家:
  International Rectifier
封装:
 TO-220AB
数量:
 4842  
说明:
 MOSFET
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IRFB4110QPBF PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:370 W
栅极电荷 Qg:150 nC
封装形式:TO-220AB
安装风格:Through Hole
漏极连续电流:180 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
制造商:International Rectifier

以上是IRFB4110QPBF的详细信息,包括IRFB4110QPBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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