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IRF9Z34NSTRRPBF

厂家：: International Rectifier
封装：: D2PAK
数量：: 5184
说明：: MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC

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IRF9Z34NSTRRPBF PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：30 ns
工厂包装数量：800
上升时间：55 ns
功率耗散：68 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：23.3 nC
下降时间：41 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：100 m Ohms
漏极连续电流：19 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：- 55 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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