IRF9389PBF

厂家：: Infineon Technologies
封装：: 8-SO
数量：: 2475
说明：: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：2W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：398pF @ 15V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 10μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：27 毫欧 @ 6.8A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.8A，4.6A
漏源电压（Vdss）：30V
FET 功能：逻辑电平门
配置：N 和 P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：Digi-Key 停止提供
包装：HEXFET?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

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