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中文参数如下:
工厂包装数量:95
功率耗散:2 W
栅极电荷 Qg:7.4 nC
包装形式:Tube
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):18.3 mOhms
漏极连续电流:10 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier
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